PBNるつぼ

PBNは面内方向に高い熱伝導性、厚さ方向に優れた断熱性を有しており、エネルギーロスを抑えながら内容物を均一に加熱できます。薄くて丈夫なうえに化学的にも安定しているので、結晶育成、蒸着、粉体処理などの用途に最適です。
るつぼは原料を入れる容器であることから、使用する素材には高い純度が求められます。PBNは一般的な窒化ホウ素焼結体のるつぼと比較しても高純度であるため、不純物のコンタミネーションを効果的に防止できます。さらに、信越化学では複雑な形状のるつぼ製造に対応しているほか、通常よりも高い保温性を発揮する独自のコーティングを施した製品もご提供可能です。

化合物半導体結晶製造用るつぼ

主にGaAsやInPなどのIII-V族化合物半導体の結晶製造にご使用いただけます。
※ III – V族以外でも使用実績はあります

LECるつぼ

液体封止チョクラルスキー(LEC)法によって化合物半導体単結晶を成長させるためのるつぼです。
結晶製造だけではなく、金属溶融用としてもご使用いただけます。

製造可能サイズ

最大Φ400×H560 mm
※大型サイズは要相談

VGFるつぼ

垂直温度勾配凝固(VGF)法によって化合物半導体単結晶を成⻑させるためのるつぼです。
シード部を取り外し可能な仕様にも対応しています。また、垂直ブリッジマン(VB)法用のるつぼも製造可能です。

製造可能サイズ

最大Φ300×H500 mm
※大型サイズは要相談

ボートるつぼ

水平ブリッジマン(HB)法によって化合物半導体単結晶を成⻑させるためのるつぼです。
また、CIGS系太陽光パネル、フラットパネルディスプレイ(FPD)、有機EL(OLED)など大面積への原料蒸着が必要な場合の原料用るつぼとしてもご使用いただけます。

製造可能サイズ

最大W100×L900×H70 mm
※大型サイズは要相談

分子線エピタキシー(MBE)装置用るつぼ

半導体ウエハー上に、分子線エピタキシー(MBE)法で成膜を行うための原料用るつぼです。
弊社は複雑な形状のるつぼ製造を得意としています。他社では困難だった場合もご相談ください。
内面ポリッシュ処理、ダブルウォール処理、洗浄処理にも対応しています。

製造可能サイズ

最大Φ200×H500 mm
※大型サイズは要相談

コーティングオプション

るつぼの温度低下を防ぐために、黒色コーティングも承っております。

熱分解グラファイト(PG)コーティング

熱分解グラファイトの被膜によって保温性を高める、一般的なコーティング方法です。

信越独自コーティング

熱分解グラファイト(PG)コーティングとは異なり、絶縁性のコーティングでありながら、
PGより赤外吸収率が高く、より少ないエネルギーで高い保温性能を可能とします(省エネ)。
※詳しくはお問い合わせください

コーティング膜厚

T20~100 μm

電子ビーム(EB)蒸着装置用るつぼ

ハースライナーと呼ばれる、電子ビーム加熱蒸着用るつぼです。
PBNはグラファイトなどの等方性の素材と異なり異方性を有していることから、熱応力が層間に分散しやすく、⻑寿命です。加えて信越化学独自の設計により、さらなる耐久性向上(高寿命化)を実現しました。
電子ビームによって蓄積される電荷を逃がすために、導電性の熱分解グラファイト(PG)をコーティングします。